УДК: 621. 315.592
Произведен расчет и сборка установки, предназначенной для получения тонких пленок Cu(In
1- x Ga
x )Se
2 методом селенизации. В температурном интервале селенизации 450 ≤ Т ≤ 550ºС получены кристаллические пленки CuIn
0.8Ga
0.2Se
2 и CuIn
0.85Ga
15Se
2. Химический анализ пленок показал, что их состав является квазистехиометрическим. На штрихрентгенограммах пленок присутствует характерная для халькопирита серия дифракционных линий.
Ключевые слова: морфология; morphology; фотопреобразователь; полупроводник; технология; вакуум; селенизация; тонкие пленки; химический анализ; рентгеноструктурный анализ; photo converter; semiconductor; technology; vacuum; selenization; thin films; chemical analysis; X-ray diffraction analysis.
Страницы: 13 - 18
Поступила в редакцию: 01.04.2013 г.
Список литературы:
- Асеев А.Л. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике. Новосибирск: СО РАН, 2007. 368 с.
- Djelal L., Bouguelia A., Trali M. Phycsial and Photoelectrochemical Properties of p-CuInSe2 Bulk Material // Mater. Chem. Phys. 2008. Vol. 109, N 1. P. 99.
- Фоточувствительность тонкопленочных солнечных элементов ZnO/CdS/Cu(In, Ga)Se2/Mo, полученных на различных подложках / В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ф. Гременок, Е.И. Теруков, Б.Х. Байрамов, Y.W. Song // ФТП. 2012. Т. 46, вып. 2. С. 231-234.
- Properties of 19.2% efficiency ZnO/CdS/CuInGaSe2 thin-film solar cells / K. Ramanathan, M.A. Contreras, C.L. Perkins, S. Asher, F.S. Hasoon, J. Keane, D. Young, M. Romero, W. Metzger, R. Noufi, J. Ward, A. Duda // Progress in Photovoltaics. 2003. N 11 (4). Р. 225.
- Получение и физические свойства Cu(In, Ga)(S, Se)2 пленок для фотопреобразователей многокристальных модулей / М.С. Тиванов, Е.П. Зарецкая, В.А. Иванов, В.Ф. Гременок, В.Б. Залесский, П.И. Романов, Н.А. Дроздов, А.К. Федотов, А.И. Белоус, С.В. Шведов // Докл. БГУИР. 2007. № 3 (19). С. 62-67.
- Calixto M.E., Sebastian P.J. CuInSe2 thin films formed by selenization of Cu-In precursors // J. Mater. Sci. 1998. Vol. 33. P. 339-345.
- Способ получения тонкой пленки диселенида меди и индия CuInSe2 : пат. на изобретение № 2354006 от 22.04.2009 г. Российская Федерация / Б.А. Билалов, Т.М. Гаджиев, Г.К. Сафаралиев.
- Вакуумная трубчатая печь : пат. на п.м. модель № 116614 от 27.05.2012 г. Российская Федерация / Т.М. Гаджиев, Р.М. Гаджиева, Р.К. Арсланов, М.Г. Куруцов, И.Г. Зубаилов.
Вернуться к оглавлению выпуска