Выпуски по годам:
Разделы и рубрики:
Выпуск 46
МАТЕМАТИКА И ФИЗИКА
УДК: 621.315.592
ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ДИФФУЗИОННЫХ КРЕМНИЕВЫХ p-n-СТРУКТУР
МУСАЕВ Ахмед Магомедович,
МУТАЛИБОВ Шукур Рамазанович
Исследовано влияние температурного режима электронного облучения с энергией 4 МэВ на основные электрофизические характеристики диффузионных кремниевых p + - n - n + -структур. Показано, что температура структур при электронном облучении играет существенную роль в определении их характеристик. Полученные результаты могут быть использованы для увеличения быстродействия кремниевых p - n -структур, а также для оптимизации и стабилизации их параметров.
Ключевые слова: кремний; silicon; температура; temperature; p-n-структуры; электронное облучение; прямое напряжение; обратный ток; барьерная емкость; радиационные дефекты; p-n-structures; electron irradiation; direct voltage drop; inverse current; barrier capacitance; radiation defect.
Страницы: 14 - 17
Поступила в редакцию: 21.12.2011 г.
Список литературы:
- Влияние температуры облучения и вида легирующей примеси на процессы дефектообразования в кремнии n-типа, облученном электронами / В.С. Вавилов, В.Б. Глазман, Н.У. Исаев, Б.Н. Мукашев, А.В. Спицын // ФТП. 1974. Т. 8. Вып. 3. С. 471–475.
- Коршунов Ф.П., Марченко И.Г. Влияние электронного облучения при различных температурах на время жизни неосновных носителей заряда в эпитаксиальных кремниевых p-n-структурах // ФТП. 1983. Т. 17. Вып. 3. С. 540–542.
- Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Мн.: Наука и техника, 1978.
- Пагава Т.А. Зависимость кинетики отжига A-центров и дивакансий от температуры, энергии и дозы облучения в кристаллах n-кремния // ФТП. 2002. Т. 36. Вып. 10. С. 1159–1162.
- Пагава Т.А. Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 8. С. 919–921.
- Казакевич Л.А., Луганов П.Ф, Ткачев В.Д. Влияние дислокаций на накопление радиационных дефектов в кремнии // ФТП. 1980. Т. 14. Вып. 1. С. 128–142.
- Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. 176 с.
- Марченко И.Г., Жданович Н.Е. Технологические особенности электронного облучения Si p+-n-n+-диодов при повышенных температурах // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 11. С. 1549–1552.