Issues:
Sections:
Issue 46
MATHEMATICS AND PHYSICS
UDK: 621.315.592
EFFECT OF THE ELECTRON IRRADIATION TEMPERATURE ON THE ELECTRO-PHYSICAL PARAMETERS OF THE DIFFUSED SILICON p-n-STRUCTURES
MUSAEV Akhmed Magomedovich,
MUTALIBOV Shukur Ramazanovich
Influence of temperature regime of the electron irradiation with 4 MeV on basic electrical characteristics of the diffused silicon p+-n-n+ -structures is studied. It is shown that the structures’ temperature at electron irradiation plays an important role in determination of their characteristics. The obtained results can help increase the operating speed of the silicon p-n-structures as well as optimize and stabilize their parameters.
Keywords: кремний; silicon; температура; temperature; p-n-структуры; электронное облучение; прямое напряжение; обратный ток; барьерная емкость; радиационные дефекты; p-n-structures; electron irradiation; direct voltage drop; inverse current; barrier capacitance; radiation defect.
Pages: 14 - 17
Date: 21.12.2011
Bibliography:
- Влияние температуры облучения и вида легирующей примеси на процессы дефектообразования в кремнии n-типа, облученном электронами / В.С. Вавилов, В.Б. Глазман, Н.У. Исаев, Б.Н. Мукашев, А.В. Спицын // ФТП. 1974. Т. 8. Вып. 3. С. 471–475.
- Коршунов Ф.П., Марченко И.Г. Влияние электронного облучения при различных температурах на время жизни неосновных носителей заряда в эпитаксиальных кремниевых p-n-структурах // ФТП. 1983. Т. 17. Вып. 3. С. 540–542.
- Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Мн.: Наука и техника, 1978.
- Пагава Т.А. Зависимость кинетики отжига A-центров и дивакансий от температуры, энергии и дозы облучения в кристаллах n-кремния // ФТП. 2002. Т. 36. Вып. 10. С. 1159–1162.
- Пагава Т.А. Влияние температуры облучения на эффективность введения мультивакансионных дефектов в кристаллах n-Si // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 8. С. 919–921.
- Казакевич Л.А., Луганов П.Ф, Ткачев В.Д. Влияние дислокаций на накопление радиационных дефектов в кремнии // ФТП. 1980. Т. 14. Вып. 1. С. 128–142.
- Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Л.: Наука, 1981. 176 с.
- Марченко И.Г., Жданович Н.Е. Технологические особенности электронного облучения Si p+-n-n+-диодов при повышенных температурах // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 11. С. 1549–1552.