RU  |  EN

ISSN  1684-792X

Выпуск 49

МАТЕМАТИКА И ФИЗИКА

УДК: 621.315.592

ТЕПЛОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРЕМНИЯ И ЕГО РАСПЛАВА ПРИ ВЫСОКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ

МАГОМЕДОВ Ясупи Бадрутдинович,
ГАДЖИЕВ Гаджи Гамзаевич,
КАЛЛАЕВ Сулейман Нурулисланович


Исследована температурная зависимость теплопроводности и электропроводности кремния в твердом и жидком состояниях. Установлено, что теплофизические свойства кремния при плавлении изменяются скачком до значений, характерных для металлических расплавов. Показано, что температурная зависимость теплопроводности и электропроводности расплава кремния после плавления отличается от температурной зависимости этих параметров для металлических расплавов. Аномальные для металлов значения и температурные зависимости теплопроводности и электропроводности расплава показывают, что при плавлении кремния процесс металлизация не завершается.

Ключевые слова: кремний; теплопроводность; электропроводность; расплавы; silicon; thermal and electrical conductivity; melts.

Страницы: 15 - 18

Поступила в редакцию: 26.03.2012 г.

Список литературы:

  • Ioffe A.F., Regel A.R. Non-crystalline, Amorphous and Liquid Electronic Semiconductors // Progress in Semiconductors. London: Pergamon press, 1960. Vol. 4. P. 237–249.
  • Глазов В.М., Чижевская С.Н., Глаголева Н.Н. Жидкие полупроводники. М.: Наука, 1967. 240 с.
  • Okada T., Ohno S. Electrical properties of liquid Si and liquid Au-Si alloys // J. Phys. Soc. Jpn. 2003. Vol. 72. P. 352–356.
  • Electrical resistivity of liquid silicon / H. Sasaki, A. Ikarui, K. Terashima, Sh. Kimura // Jpn J. Appl. Phys. 1995. Part 1, vol. 34. P. 3426–3429.
  • Domenicali C.A. Thermoelectrical properties of Si and Ge // J. Appl. Phys. 1957. Vol. 28. P. 749–752.
  • Glassbrenner C.J., Slack G.A. Thermal conductivity of silicon and germanium from 3 K to the melting point // Phys. Rev. 1964. Vol. 134. Р. 1058–1062.
  • Stuckes A.D. Thermal conductivity of InAs and Si at 200–500 // Philosоph. Magaz. 1960. Vol. 5, N 49. P. 84–87.
  • Шашков Ю.М., Гришин В.П. О теплопроводности кремния в твердом и жидком состояниях вблизи температуры плавления // Физика твердого тела. 1966. Т. 8, № 2. С. 567–571.
  • Measurement of heat capacity and thermal conductivity of supercooled liquid silicon / H. Kobatake, H. Fukujama, I. Minato, T. Tsukada, S. Awaji // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 90. Р. 94–102.
  • Мильвидский М.Г., Еремеев В.В. К методике оценки коэффициента теплопроводности твердых тел и расплавов вблизи температуры плавления // Физика твердого тела. 1964. Т. 6, № 7. С. 1962–1966.
  • Устройство для измерения электропроводности и термоэдс полупроводников и их расплавов / Я.Б. Магомедов, С.Н. Алиев, М.А. Айдамиров, Н.В. Лугуева // Приборы и техника эксперимента. 2003. № 6. С. 117–121.
  • Регель А.Р., Глазов В.М. Закономерности формирования структуры электронных расплавов. М.: Наука, 1982. 320 с.



Вернуться к оглавлению выпуска